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Abstract

In der vorliegenden Dissertation wurden Absorptions-, PL- und PLE-Messungen an II-VI-Halbleiterproben unter hydrostatischen Drücken bis 20 GPa durchgeführt. Zur Erzeugung der Drücke diente eine Syassen-Holzapfel-Diamantstempelzelle. Zwischen zwei planparallelen Diamantstempeln befand sich hierbei ein durchbohrtes Metallscheibchen. Der Durchmesser des Lochs beträgt etwa 0.1 mm und ist mit einer Flüssigkeit und dem Probenstück gefüllt. Durch Zusammenpressen der Diamanten mittels einer Zangenkonstruktion wird der Probenraum komprimiert und auf die Probe hydrostatischer Druck ausgeübt.

Als Proben waren neben den ternären Systemen ZnSxSe1-x, Zn1-xMgxSe und ZnSexTe1-x, deren relative hydrostatische Deformationspotentiale a(x) und Übergangsdrücke struktureller Phasenübergänge ptr(x) bestimmt wurden, vor allem ZnSe / Zn1-xMgxSe-Quantenstrukturen von Interesse. Hieran konnte mit PLE auch die Druckabhängigkeit von Übergängen angeregter Niveaus beobachtet werden, was eine Bestimmung des Bandoffset-Parameters Qc und der absoluten Deformationspotentiale ac und av ermöglichte. In Photolumineszenz auftretende Signale konnten Übergängen unter Beteiligung von Biexzitonen und Trionen zugeordnet werden. Darüberhinaus wurden Zn1-xCdxSe/ZnSe-Quantenstrukturen untersucht.

Eine weitere Methode zur Bestimmung absoluter Deformationspotentiale bietet die Beobachtung der Umladungsniveaus tiefer Übergangsmetallstörstellen, was anhand von ZnTe:Co demonstriert wurde.