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Übergangsmetallstörstellen in ZnTe

Im letzten Abschnitt dieser Arbeit wurden Untersuchungen an mit Cobalt dotierten ZnTe-Kristallen vorgestellt. Ein hierbei beobachteter elektronischer Umladungsprozeß Co tex2html_wrap_inline233 Co tex2html_wrap_inline235 h tex2html_wrap_inline237 aus dem Valenzband des ZnTe in ein Akzeptorniveau der lokalisierten Störstelle bietet eine weitere Möglichkeit, die absoluten Deformationspotentiale des Halbleiters zu bestimmen: Es läßt sich nämlich zeigen, daß das beteiligte Akzeptorniveau eine druckunabhängige Energiereferenz darstellt. Aus den Messungen folgt für das absolute Valenzband-Deformationspotential:

displaymath239

Neben den Umladungsniveaus konnten auch Übergänge innerhalb der Störstelle beobachtet werden. Durch eine Anpassung der Kristallfeldtheorie nach Tanabe und Sugano wurden der Racahparameter B und der Kristallfeldparameter Dq druckabhängig bestimmt zu:

eqnarray57

Ein Anstieg von Dq und ein Fallen von B wurde auch bei druckabhängigen Messungen an anderen dotierten Systemen gefunden und kann im Rahmen der Kristallfeldtheorie durch eine Verringerung des Abstands des Störstellenatoms zu den Liganden und eine Zunahme der Kovalenz der Störstellenbindung erklärt werden.