II-VI-Halbleiter - Heterostrukturen: Wachstum und Charakterisierung

vorgelegt von

Thomas Reisinger

am 9.10.1996

Betreuer: Prof.Dr.W.Gebhardt

Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und der strukturellen sowie optischen Charakterisierung der Halbleiterheterostrukturen ZnSe/GaAs, ZnCdSe/ZnSe/GaAs und ZnSe/ZnMgSe/GaAs.

Die Grundlage hierfür wurde durch die Planung und den Aufbau einer MBE-Anlage geschaffen. Als unverzichtbares Mittel zur Wachstumsanalyse und Wachstumskontrolle wird RHEED eingesetzt. Die damit verbundenen vielfältigen in situ Untersuchungsmöglichkeiten werden um die neue Methode der Spiegelreflexverbreiterung zur Beobachtung der Gitterrelaxation erweitert. Andere strukturelle Untersuchungsmethoden werden miteinbezogen, insbesondere die Elektronenmikroskopie. Optische Methoden (PL, PLE und PR) ergänzen die Ergebnisse der Strukturanalyse und werden darüberhinaus bei ZnSe/ZnMgSe-Quantentrogstrukturen in Verbindung mit Berechnungen der Übergangsenergien herangezogen.