Last update: 22.10.2004    

  1. V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev, Petra Schneider, S. Giglberger, E.L. Ivchenko, S.A. Tarasenko, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl,
    Magneto-Gyrotropic Photogalvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells,
    cond-mat/0311474 (2003). (PDF)
  2. A. Ya. Shul'man, S. D. Ganichev, E. M. Dizhur, I. N. Kotel'nikov, E. Zepezauer, and W. Prettl,
    Effect of electron heating and radiation pressure on tunneling across Schottky barrier due to giant near field of FIR radiation,
    Physica B 272, 442 (1999).(PDF)
  3. I. N. Kotel'nikov, A. Ya. Shul'man, S. D. Ganichev, N. A. Varvanin, B. Mayerhofer, and W. Prettl,
    Heating of two-dimensional electron gas and LO-phonons in delta-doped GaAs by far-infrared radiation,
    Solid State Communic. 97, 827 (1996).(PDF)
  4. S. D. Ganichev, J. Diener, and W. Prettl,
    Nonlinear far-infrared absorption in InSb at light impact ionization,
    Appl. Phys. Lett. 64, 1977 (1994).(PDF)
  5. E. V. Beregulin, S. D. Ganichev, K. Yu. Gloukh, G. M. Gusev, Z. D. Kvon, M. Yu. Martisov, A. Ya. Shik, and I. D. Yaroshetskii,
    Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon,
    Sov. Phys. JETP 70, 1138 (1990).(PDF)
  6. S. D. Ganichev, S. A. Emel'yanov, Ya. V. Terent'ev, and I. D. Yaroshetskii,
    On the domain of application of fast submillimeter detectors cooled to T=77 K,
    Sov. J. Tech. Phys. 34, 565 (1989).(PDF)
  7. E. V. Beregulin, S. D. Ganichev, K. Yu. Gloukh, G. M. Gusev, Z. D. Kvon, M. Yu. Martisov, A. Ya. Shik, and I. D. Yaroshetskii,
    Submillimeter photoconductivity in inversion layers at a silicon surface,
    Sov. Phys. JETP Lett. 48, 269 (1988).(PDF)
  8. E. V. Beregulin, S. D. Ganichev, K. Yu. Gloukh, and I. D. Yaroshetskii,
    Nonlinear absorption of submillimeter radiation in germanium due to optical heating of charge carriers,
    Sov. Phys. Semicond. 21, 615 (1987).(PDF)
  9. S. D. Ganichev, S. A. Emel'yanov, and I. D. Yaroshetskii,
    Intraband photoconductivity due to light holes and heating of carriers in p-type Ge by submillimeter laser excitation,
    Sov. Phys. Semicond. 21, 618 (1987).(PDF)
  10. S. D. Ganichev, A. P. Dmitriev, S. A. Emel'yanov, Ya. V. Terent'ev, I. D. Yaroshetskii, and I. N. Yassievich,
    Impact ionization in semiconductors under the influence of the electric field of an optical wave,
    Sov. Phys. JETP 63, 256 (1986).(PDF)
  11. S. D. Ganichev, S. A. Emel'yanov, A. G. Pakhomov, Ya. V. Terent'ev, and I. D. Yaroshetskii,
    Fast uncooled detector for far-IR and submillimeter laser beams,
    Sov. Tech. Phys. Lett. 11, 377 (1985).(PDF)
  12. S. D. Ganichev, A. P. Dmitriev, S. A. Emel'yanov, Ya. V. Terent'ev, I. D. Yaroshetskii, and I. N. Yassievich,
    Impact ionization in a semiconductor in a light wave,
    Sov. Phys. JETP Lett. 40, 948 (1984).(PDF)
  13. S. D. Ganichev, S. A. Emel'yanov, and I. D. Yaroshetskii,
    Dynamic change in the photoconductivity sign in n-Ge in intense submillimeter radiation,
    Sov. Phys. JETP Lett. 38, 448 (1983).(PDF)
  14.