TEM-Aufnahme einer Supraleiter-Halbleiter-Struktur. Auf die mit MBE gewachsene AlGaSb und InAs-Schicht wurde durch Sputtern eine polykristalline Nb-Schicht aufgebracht. Im Halbleiter sind die Atomreihen deutlich sichtbar. Die InAs/Nb-Grenzfläche hat die gleiche Qualität wie die freie InAs-Oberfläche, die links unten unter dem Luftspalt zu sehen ist.
Probenherstellung und TEM-Bildaufnahme: Jonathan Eroms