Diese Ringstruktur aus GaMnAs wurde durch Elektronenstrahllithographie (crosslinked PMMA) definiert und mit RIE in das ferromagnetische Halbleitermaterial übertragen. Der Ringdurchmesser beträgt 500 nm bei einer Strukturbreite von ca. 30 nm, die sich gleichmässig vom etwa 200 nm hohen Lack in das 150 nm hohe GaMnAs fortsetzt.
Probenherstellung, REM-Bildaufnahme: Konrad Wagner